ScAlMgO4（SAM）ウェーハ
2～4インチSAMウェーハ
2～4インチSAMインゴット
10 mm × 10 mm MBE-GaN on SAM テンプレート
2インチMBE-GaN on SAM テンプレート
SAMウェーハは、LED、LD、FETなどのGaNデバイスの基板として有望です。
SAMウェーハ上に製造されるGaN自立基板は、自動車用途のGaNパワーデバイス用途に期待されています。
- 特徴
-
- GaNと格子不整合率小（不整合率 1.8%）
- InGaN と格子整合
- GaNと熱膨張率差小（膨張率差 0.6％）
- 劈開（へきかい）によってエピレディー基板を作製可能
- 無転位結晶を作製可能
- Siに匹敵する高品質結晶可能
ScAlMgO4 (SAM) Single Crystal Substrates
- Properties
-
- Bulk crystal development at AT&T Bell Laboratories in 1995
- Crystal structure YbFe2O4
- Space group 𝑅3 ̅𝑚
- Cleavage on C-plane
- Small lattice mismatch with GaN (about 1.3%)
- Small thermal expansion difference with GaN
- Crystals are grown by Czochralski method
| Sizes | Wafer Orientation | Orientation flat |
|---|---|---|
| 10 mm × 10 mm | c | ー |
| 2 inches | c | （10～10） |
Ingot
SAM Wafers
MBE-GaN on SAM Template
- Properties
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- Direct GaN growth on SAM without buffer layer
- Low growth temperature
- Epitaxial growth of wurtzite GaN on SAM substrate with steep interface
- No obvious Mg diffusion in GaN thin film confirmed by SIMS
| Growth Methods | Sizes | Wafer orientation | Orientation flat |
|---|---|---|---|
| MBE-GaN on SAM | 10 mm × 10 mm | c | ー |
| MBE-GaN on SAM | 2 inches | c | （10～10） |
MBE-GaN on SAM Template
MBE Equipment
TEM of GaN / SAM interface