GaNウェーハ

GaNウェーハの製品を提供しております。

  • 少量からのご注文
  • パワーLSI、高輝度LED、レーザー用として注目
  • 高品質（少ない結晶欠陥）
  • 低価格（対他社比較）

GaN基板

項目 仕様
直径 51.0 mm ± 0.3 mm 100.2 mm ± 0.3 mm
厚さ 490 µm ± 30 µm 540 µm ± 30 µm
面方位 (0001) Ga-Face c-plane
TTV (5 mm edge exclusion) ≤15 µm ≤30 µm
Warp (5 mm edge exclusion) ≤20 µm ≤80 µm
Bow (5 mm edge exclusion) -10 µm to +5 µm -40 µm to +20 µm
電気特性 タイプ 抵抗率
N-type (Si) ≤0.02 Ω·cm
UID ≤0.2 Ω·cm
Semi-Insulating (Carbon) >1E8 Ω·cm
グレード Density (pits/cm2) 2" (pits) 4" (pits)
Production ≤0.5 ≤10 ≤40
Research ≤1.5 ≤30 ≤120
Dummy ≤2.5 ≤50 ≤200

GaN基板（正方形）

項目 仕様
サイズ (10 ± 0.5) × (15 ± 0.5) mm2
Customized Size
厚さ 400 ± 25 µm
面方位 C-plane (0001) off-angle toward M-axis
0.35 ± 0.15° or 0.55 ± 0.15°
TTV ≤10 µm
BOW ≤10 μm
タイプ UID N-type (Si) Semi-Insulating (Carbon)
Ga face surface roughness <0.3 nm (10 × 10 μm)
N face surface roughness Etched (0.5–1.5 µm); Polished (<0.3 nm)
転位密度 <1 × 106 cm2
(002) FWHM ≤70 arcsec
(102) FWHM ≤70 arcsec
Macro defect density(hole) <0.3 cm-2
有効面積 >90%

GaNテンプレート（φ2インチ）

項目 仕様
直径 φ50.8 mm ± 0.1 mm
GaN膜厚 4 µm、10～25 µm
方位面 C面（0001）面 ± 0.5°
タイプ UID N-type (Si)
オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1～100）。オリフラ長さ 30 mm ± 1 mm
電気抵抗率（300 K） <0.5 Ω·cm <0.05 Ω·cm
転位密度 5 × 108 cm2
基板構造 GaN/サファイアウェーハ（0001）面
有効面積 90％以上
表面仕上げ Ga面：CMP仕上げ。N面：ファイングランディング（オプション：光学鏡面仕上げ）

GaNテンプレート（φ4インチ）

項目 仕様
直径 φ100 mm ± 0.1 mm
GaN膜厚 4 µm、10～25 µm
方位面 C面（0001）面 ± 0.5°
導電タイプ N型（Undoped）
オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1～100）。オリフラ長さ 30 mm ± 1 mm
電気抵抗率（300 K） <0.5 Ω·cm
転移欠陥密度 5 × 108 個/cm2以下
基板構造 GaN/サファイアウェーハ（0001）面
有効面積 90％以上
表面仕上げ Ga面：CMP仕上げ。N面：ファイングランディング（オプション：光学鏡面仕上げ）

2-inch GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer

Substrate Type Flat Sapphire
Polish Single Side Polished (SSP)/Double Side Polished (DSP)
Dimension 50.8 ± 0.2 mm
Orientation C-plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1°
Thickness 430 ± 25 mm
Epilayer Structure 0.2 μm pGaN / 0.5 μm MQWs / 2.5 μm nGaN / 2.0 μm uGaN
Thickness 5.5 ± 0.5 μm
Roughness(Ra) <0.5 nm
Dislocation density <5 × 108 cm2
Wavelength Blue LED Green LED
465 ± 10 nm 465 ± 10 nm
Wavelength FWHMs <25 nm <40 nm
Chip Performance Cut-in Voltage @ 1μA 2.3~2.5 V 2.2~2.4 V
Useable Area >90% (Excluding edge and macro defects)
Package Packaged in a cleanroom in a single wafer container

4-inch GaN-on-Sapphire Blue/Green/Red LED Wafer

Substrate Type Flat Sapphire
Polish Single Side Polished (SSP)/Double Side Polished (DSP)
Dimension 100 ± 0.2 mm
Orientation C-plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1°
Thickness 650 ± 25 μm
Epilayer Structure 0.2 μm pGaN / 0.5 μm MQWs / 2.5 μm nGaN / 2.0 μm uGaN
Thickness 5.5 ± 0.5 μm
Roughness(Ra) <0.5 nm
Dislocation density <5 × 108 cm2
Wavelength Blue LED Green LED Red LED
465 ± 10 nm 525 ± 10 nm 630 ± 10 nm
Wavelength FWHMs <25 nm <40 nm
Chip Performance Cut-in voltage@1μA 2.3~2.5 V 2.2~2.4 V
Useable Area >90% (edge and macro defects exclusion)
Package Packaged in a cleanroom in a single wafer container

6-inch GaN-on-Sapphire Blue/Green/Red LED Wafer

Substrate Type Flat Sapphire
Polish Single Side Polished (SSP)/Double Side Polished (DSP)
Dimension 150 ± 0.2 mm
Orientation C-plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1°
Thickness 1300 ± 25 μm
Epilayer Structure 0.2 μm pGaN / 0.5 μm MQWs / 2.5 μm nGaN / 2.0 μm uGaN
Thickness 6.9 ± 0.5 μm
Roughness (Ra) <0.5 nm
Dislocation density <5 × 108 cm2
Wavelength Blue LED Green LED Red LED
475 ± 3 nm 521 ± 5 nm 630 ± 8 nm
Wavelength FWHMs <25 nm <40 nm
Chip Performance Cut-in voltage @ 1 μA 2.3~2.5 V 2.2~2.4 V
Useable Area >90% (edge and macro defects exclusion)
Package Packaged in a cleanroom in a single wafer container