半導体基板材料
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化合物半導体ウェーハ
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光学材料
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SiC ウェーハ
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光学ウェーハ
FZウェーハ
GaAsエピウェーハ
SiC基板
エピタキシャルウェーハ
絶縁石英ウェーハ
GeOI ウェーハ（ゲルマニウム オン インシュレーター ウェーハ）
光学ゲルマニウム
SOIウェーハ
VCSEL|HCSEL エピタキシー
4H-SiCホモエピタキシャルウェーハ
ポケットウェーハ
シリコン・オン・クォーツ・ウェーハ
GeSi/GeOSiエピウェーハ
Film-Coatedウェーハ
SiO2ウェーハ
リン化ガリウムウェーハ
6H均質SiCエピタキシャルウェーハ
キャビティ SOI ウェーハ
シリコンサファイアウェーハ
Relaxed GeSiウェーハ
光学窓
Sinウェーハ
アンチモン化ガリウムウェーハ
3C-SiC on Si基板
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Strained GeSiウェーハ
単結晶/多結晶ダイヤモンド
Siエピウェーハ
リン化インジウムウェーハ
GaNウェーハ
Cap|Lidウェーハ
石英ウェーハ
単結晶セラミック
CaF2|BaF2|MgF2光学窓
テストウェーハ
ヒ化インジウムウェーハ
GaN自立基板
基板ウェーハ
サファイアウェーハ
多結晶セラミックス
特別な波長ウィンドウのカスタマイズ
ダミーウェーハ
アンチモン化インジウムウェーハ
GaN on Siエピウェーハ
ガラスウェーハ
再生ウェーハ
GaN-on-sapphireエピウェーハ
AINウェーハ
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Ga2O3基板
ZnOウェーハ
シリコンウェーハ
化合物半導体ウェーハ
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光電子材料
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光学材料
クリスタル素材
ZnOウェーハ
ZnSウェーハ
ZnSeウェーハ
ZnTeウェーハ
CdSウェーハ
CdSeウェーハ
CdTeウェーハ
SrTiO3 ウェーハ
TiO2ウェーハ
MgOウェーハ
NaClウェーハ
LaAlO3ウェーハ
アルミナウェーハ
ZrO2ウェーハ
クリスタル素材
シリコンウェーハ規格表 JEITA vs SEMI
| ウェーハサイズ | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 直 径 (mm) | JEITA | 50±0.5 | 76±0.5 | 100±0.2 | 125±0.2 | 150±0.2 | 200±0.5 | 300±0.2 |
| SEMI | 50±0.38 | 76.2±0.63 | 100±0.5 | 125±0.5 | 150±0.2 | 200±0.2 | 300±0.2 | |
| 厚 み (µm) | JEITA | 280±10 | 380±15 | 525±15 | 625±15 | 625±15 | 725±25 | 775±25 |
| SEMI | 279±25 | 381±25 | 520±20 | 625±20 | 675±20 | 725±20 | 775±20 | |
| オリフラ (mm) | JEITA | 17.5±2.5 | 22.0±2.5 | 32.5±2.5 | 42.5±2.5 | 47.5±2.5 | 57.5±2.5 | (60.0±2.5) |
| SEMI | 15.88±1.65 | 22.22±3.17 | 32.5±2.5 | 42.5±2.5 | 57.5±2.5 | 57.5±2.5 | - | |
| TTV (µm) | JEITA | 15 | 25 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| SEMI | 12 | 25 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |