半導体材料用語
シリコンウェーハ
化合物半導体ウェーハ
第三世代半導体材料
機能ウェーハ
光電子材料
その他の基板材料
光学材料
プライムウェーハ
GaAs ウェーハ
SiC ウェーハ
接合ウェーハ
絶縁ニオブ酸リチウムウェーハ
ゲルマニウムウェーハ
光学ウェーハ
FZウェーハ
GaAsエピウェーハ
SiC基板
エピタキシャルウェーハ
絶縁石英ウェーハ
GeOI ウェーハ（ゲルマニウム オン インシュレーター ウェーハ）
光学ゲルマニウム
SOIウェーハ
VCSEL|HCSEL エピタキシー
4H-SiCホモエピタキシャルウェーハ
ポケットウェーハ
シリコン・オン・クォーツ・ウェーハ
GeSi/GeOSiエピウェーハ
Film-Coatedウェーハ
SiO2ウェーハ
リン化ガリウムウェーハ
6H均質SiCエピタキシャルウェーハ
キャビティ SOI ウェーハ
シリコンサファイアウェーハ
Relaxed GeSiウェーハ
光学窓
Sinウェーハ
アンチモン化ガリウムウェーハ
3C-SiC on Si基板
キャリアウェーハ
ガラスシリコンウェーハ
Strained GeSiウェーハ
単結晶/多結晶ダイヤモンド
Siエピウェーハ
リン化インジウムウェーハ
GaNウェーハ
Cap|Lidウェーハ
石英ウェーハ
単結晶セラミック
CaF2|BaF2|MgF2光学窓
テストウェーハ
ヒ化インジウムウェーハ
GaN自立基板
基板ウェーハ
サファイアウェーハ
多結晶セラミックス
特別な波長ウィンドウのカスタマイズ
ダミーウェーハ
アンチモン化インジウムウェーハ
GaN on Siエピウェーハ
ガラスウェーハ
再生ウェーハ
GaN-on-sapphireエピウェーハ
AINウェーハ
ダイヤモンド基板
Ga2O3基板
ZnOウェーハ
シリコンウェーハ
化合物半導体ウェーハ
第三世代半導体材料
機能ウェーハ
光電子材料
その他の基板材料
光学材料
クリスタル素材
ZnOウェーハ
ZnSウェーハ
ZnSeウェーハ
ZnTeウェーハ
CdSウェーハ
CdSeウェーハ
CdTeウェーハ
SrTiO3 ウェーハ
TiO2 ウェーハ
MgOウェーハ
NaClウェーハ
LaAlO3 ウェーハ
アルミナウェーハ
ZrO2ウェーハ
クリスタル素材
シリコンウェーハ規格表 JEITA vs SEMI
| ウェーハサイズ | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 直 径 (mm) | JEITA | 50±0.5 | 76±0.5 | 100±0.2 | 125±0.2 | 150±0.2 | 200±0.5 | 300±0.2 |
| SEMI | 50±0.38 | 76.2±0.63 | 100±0.5 | 125±0.5 | 150±0.2 | 200±0.2 | 300±0.2 | |
| 厚 み (µm) | JEITA | 280±10 | 380±15 | 525±15 | 625±15 | 625±15 | 725±25 | 775±25 |
| SEMI | 279±25 | 381±25 | 520±20 | 625±20 | 675±20 | 725±20 | 775±20 | |
| オリフラ (mm) | JEITA | 17.5±2.5 | 22.0±2.5 | 32.5±2.5 | 42.5±2.5 | 47.5±2.5 | 57.5±2.5 | (60.0±2.5) |
| SEMI | 15.88±1.65 | 22.22±3.17 | 32.5±2.5 | 42.5±2.5 | 57.5±2.5 | 57.5±2.5 | - | |
| TTV (µm) | JEITA | 15 | 25 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| SEMI | 12 | 25 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |