Ga₂O₃ ウェーハ
Ga₂O₃の製品を提供しております。
- 10 × 10 Ga₂O₃ 方形基板
- 1インチ Ga₂O₃ ウェーハ
- 2インチ Ga₂O₃ ウェーハ
- 4インチ Ga₂O₃ ウェーハ
- Ga₂O₃ 種結晶
酸化ガリウムは、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広く応用されています。電気自動車、太陽光発電インバータ、高速鉄道送電などがあり、その他の分野でも潜在的な可能性があります。
酸化ガリウムの禁制帯幅は4.85eVに達し、可視光波域の透過率が優れています。これにより、ソーラーブラインド紫外線探査、放射線探査などの分野に応用できます。
酸化ガリウム単結晶とGaNの低不整合特性を活かし、5G通信において応用が期待されている高性能高周波デバイスを製造するためのGaNの成長に活用されています。
10 × 10 Ga₂O₃ 方形基板
| 10 × 10 Ga₂O₃ 方形基板 | |||
|---|---|---|---|
| 項目 | 仕様 | ||
| 結晶方位 | （100） | ||
| ドーパント | UID | Sn | Mg/Fe |
| 抵抗率 | 1016～1017 cm-3 | >1018 cm-3 | ≥1010 Ω·cm |
| FWHM (arcsec) | ≤150 | ||
| 転位密度 | <1 × 105 cm-2 | ||
| サイズ | A～B | C～D | 厚み |
| 10 mm | 10.5 mm | 0.5 (±0.02) mm | |
| 参照 | 長辺：[010] | ||
| 表面 | 片面ミラー/両面ミラー Ra < 0.5 nm 结晶面偏差 < ±1° |
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1インチ・2インチ Ga₂O₃ ウェーハ
| 1インチ・2インチ Ga₂O₃ ウェーハ | |||
|---|---|---|---|
| 項目 | 仕様 | ||
| 結晶方位 | （100） | ||
| ドーパント | UID | Sn | Mg/Fe |
| Nd-Na/抵抗率 | 1016～1017 cm-3 | >1018 cm-3 | ≥1010 Ω·cm |
| FWHM (arcsec) | ≤150 | ||
| 転位密度 | <1 × 105 cm-2 | ||
| サイズ | 直径 | 厚み | |
| 25.4/50.8 ± 0.5 mm | 0.65 ± 0.02 mm | ||
| 参照 | [010] | ||
| 表面 | 片面ミラー/両面ミラー Ra < 0.5 nm 結晶面偏差 < ±1° |
||
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4インチ Ga2O3 ウェーハ
| 4インチ Ga2O3 ウェーハ | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 項目 | 仕様 | ||||||
| 結晶方位 | （100） | ||||||
| ドーピング | UID | Sn | Mg | ||||
| Nd-Na/抵抗率 | 1016～1017 cm-3 | >1018 cm-3 | ≥1010 Ω·cm | ||||
| FWHM (arcsec) | ≤150 | ||||||
| 転位密度 | < 1 × 105 cm-2 | ||||||
| サイズ | 直径 | 厚み | |||||
| 100.0 ± 0.5 mm | 0.65 ± 0.02 mm | ||||||
| 参照 | [010] | ||||||
| 表面 | 片面ミラー/両面ミラー Ra < 0.5 nm 結晶面偏差 < ±1° |
||||||
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Ga2O3 種結晶
| Ga2O3 種結晶 | |||
|---|---|---|---|
| 項目 | 仕様 | ||
| 結晶方位 | 長辺方向（100） | ||
| ドーピング | UID/Fe/Mg | ||
| FWHM (arcsec) | ≤150 | ||
| 転位密度 | ≤2 × 104 cm-2 | ||
| サイズ | A～B | C～D | 長さ |
| 4～7 mm | 4～7 mm | 30～100 mm | |
| 表面 | 切割面 結晶面偏差 < ±1° |
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