複合ウェーハ
N型SiC複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Front (Si-face) roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Type | 4H | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Resistivity | 0.015–0.025 Ω·cm | TTV | ≤3 μm |
| Transfer layer Thickness | ≥0.4 μm | Warp | ≤35 μm |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | Thickness | 350 μm ± 25 μm |
半絶縁SiC複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Front (Si-face) roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Type | 4H | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Resistivity | 0.015–0.025 Ω·cm | TTV | ≤3 μm |
| Transfer layer Thickness | ≥0.4 μm | Warp | ≤35 μm |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | Thickness | 500 ± 25 μm |
N型SiC on Si複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Si Orientation | <111>/<100>/<110> |
| SiC Type | 4H | Si Type | P/N |
| SiC Resistivity | 0.015–0.025 Ω·cm | Flat length | 47.5 ± 1.5 mm |
| Transfer SiC layer Thickness | ≥0.1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | Thickness | 500/625/675 ± 25 μm |
半絶縁SiC on Si複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Si Orientation | <111>/<100>/<110> |
| SiC Polytype | 4H | Si Type | P/N |
| SiC Resistivity | ≥1E8 Ω·cm | Flat/Notch | Flat/Notch |
| Transfer SiC layer Thickness | ≥0.1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | Thickness | 500/625/675 ± 25 μm |
Si on SiC複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | SiC Type | 4H |
| Si Orientation | <111>/<100>/<110> | SiC Resistivity | 0.015–0.025/≥1E8 Ω·cm |
| Si Type | P/N | Flat/Notch | Flat/Notch |
| Transfer Si layer Thickness | ≥0.1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Void | ≤5 ea / wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | Thickness | 350/500 ± 25 μm |
Si on AlN複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | AlN Resistivity | ≥1E8 Ω·cm |
| Si Orientation | <111>/<100>/<110> | AlN Thermal conductivity | ≥180 W/m·K |
| Si Type | P/N | Flat length | 47.5 ± 1.5 mm |
| Transfer Si layer Thickness | ≥0.1 μm | TTV | ≤5 μm |
| Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None | Thickness | 625 ± 25 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
SOIウェーハ
| サイズ | inch | 4 | 5 | 6 | 8 | 12 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 活性層 | Unit | 仕様 | ||||
| 製法 | - | CZ/FZ | ||||
| タイプ・導電型 | - | P/N/ノンドープ | ||||
| 結晶方位 | - | <100>/<111>/<110> | ||||
| ドーパント | - | B、P、As、Sb | ||||
| 厚み | μm | ≧1.0 | ||||
| *抵抗率 | Ω･cm | 0.001–10000 | ||||
| *埋込み酸化膜 | μm | 0.05–10 | ||||
| 支持基板 | 仕様 | |||||
| 製法 | - | CZ/FZ | ||||
| タイプ・導電型 | - | P/N/ノンドープ | ||||
| 結晶方位 | - | <100>/<111>/<110> | ||||
| ドーパント | - | B、P、As、Sb | ||||
| *厚み | μm | JEITA・SEMI標準/200-1500 | ||||
| *抵抗率 | Ω･cm | 0.001–10000 | ||||
| 備考 | *詳細仕様は別途お問合せ下さい | |||||