複合ウェーハ
N型SiC複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Front (Si-face) roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Type | 4H | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Resistivity | 0.015–0.025 Ω·cm | TTV | ≤3 μm |
| Transfer layer Thickness | ≥0.4 μm | Warp | ≤35 μm |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | Thickness | 350 μm ± 25 μm |
半絶縁SiC複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Front (Si-face) roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Type | 4H | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Resistivity | 0.015–0.025 Ω·cm | TTV | ≤3 μm |
| Transfer layer Thickness | ≥0.4 μm | Warp | ≤35 μm |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | Thickness | 500 ± 25 μm |
N型SiC on Si複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Si Orientation | <111>/<100>/<110> |
| SiC Type | 4H | Si Type | P/N |
| SiC Resistivity | 0.015–0.025 Ω·cm | Flat length | 47.5 ± 1.5 mm |
| Transfer SiC layer Thickness | ≥0.1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | Thickness | 500/625/675 ± 25 μm |
半絶縁SiC on Si複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | Si Orientation | <111>/<100>/<110> |
| SiC Polytype | 4H | Si Type | P/N |
| SiC Resistivity | ≥1E8 Ω·cm | Flat/Notch | Flat/Notch |
| Transfer SiC layer Thickness | ≥0.1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Void | ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | Thickness | 500/625/675 ± 25 μm |
Si on SiC複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | SiC Type | 4H |
| Si Orientation | <111>/<100>/<110> | SiC Resistivity | 0.015–0.025/≥1E8 Ω·cm |
| Si Type | P/N | Flat/Notch | Flat/Notch |
| Transfer Si layer Thickness | ≥0.1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None |
| Void | ≤5 ea / wafer (2 mm > D > 0.5 mm) | TTV | ≤5 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) | Thickness | 350/500 ± 25 μm |
Si on AlN複合ウェーハ
| 項目 | 仕様 | 項目 | 仕様 |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0.2 mm | AlN Resistivity | ≥1E8 Ω·cm |
| Si Orientation | <111>/<100>/<110> | AlN Thermal conductivity | ≥180 W/m·K |
| Si Type | P/N | Flat length | 47.5 ± 1.5 mm |
| Transfer Si layer Thickness | ≥0.1 μm | TTV | ≤5 μm |
| Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) | None | Thickness | 625 ± 25 μm |
| Front roughness | Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) |
SOIウェーハ
| サイズ | inch | 4 | 5 | 6 | 8 | 12 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 活性層 | Unit | 仕様 | ||||
| 製法 | - | CZ/FZ | ||||
| タイプ・導電型 | - | P/N/ノンドープ | ||||
| 結晶方位 | - | <100>/<111>/<110> | ||||
| ドーパント | - | B、P、As、Sb | ||||
| 厚み | μm | ≧1.0 | ||||
| *抵抗率 | Ω･cm | 0.001–10000 | ||||
| *埋込み酸化膜 | μm | 0.05–10 | ||||
| 支持基板 | 仕様 | |||||
| 製法 | - | CZ/FZ | ||||
| タイプ・導電型 | - | P/N/ノンドープ | ||||
| 結晶方位 | - | <100>/<111>/<110> | ||||
| ドーパント | - | B、P、As、Sb | ||||
| *厚み | μm | JEITA・SEMI標準/200-1500 | ||||
| *抵抗率 | Ω･cm | 0.001–10000 | ||||
| 備考 | *詳細仕様は別途お問合せ下さい | |||||
300～900nm LiNbO3単結晶薄膜（LNOI）
● Lithium Niobate Thin Film
● SiO2
● Si, LN, Quartz, Fused Silica, etc.
| トップ機能層 | 直径 | 3, 4, (6) インチ | 方位 | X, Z, Y 他 |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | LiNbO3 | 厚さ | 300～900 nm | |
| ドーピング（オプション） | MgO | |||
| 分離層 | 材料 | SiO2 | 厚さ | 1000～4000 nm |
| 基板 | 材料 | Si, LN, 水晶, 溶融石英 他 | ||
| 厚さ | 400～500 μm | |||
| オプションの電極層 | 材料 | Pt, Au, Cr | 厚さ | 100～400 nm |
| 構造 | SiO2分離層の上または下 | |||
300～900nm LiTaO3単結晶薄膜（LTOI）
● Lithium Tantalate Thin Film
● SiO2
● Silicon
| トップ機能層 | 直径 | 3, 4, 6 インチ | 方位 | Y-42, Y-46.3, Z 他 |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | LiTaO3 | 厚さ | 300～900 nm | |
| 分離層 | 材料 | SiO2 | 厚さ | 300～4000 nm |
| 基板 | 材料 | Si | ||
| 厚さ | 400～500 μm | |||
Si基板5～50um LT & LN 薄膜
● Lithium Tantalate Thin Film
● Silicon
● Lithium Niobate Thin Film
● SiO2
● Silicon, Quartz, etc.
| トップ機能層 | 直径 | 3, 4, 6 インチ | 方位 | Y-42, Y-46.3, Z 他 |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | LiTaO3 | 厚さ | 300～900 nm | |
| 分離層 | 材料 | SiO2 | 厚さ | 300～4000 nm |
| 基板 | 材料 | Si | ||
| 厚さ | 400～500 μm | |||
20～60μm極薄、超平坦ウエハー
● Lithium Tantalate Thin Film Or Lithium Niobate Thin Film
| 直径 | 3, 4 インチ | 方位 | X, Y, Z 他 |
| 厚さ | 10～60 μm | 材料 | LN, LT, Si 他 |
| 表面 | 両面あるいは片面研磨 | ||
オーダーメイドLN & LT薄膜
| トップ層/詳細 | 基板詳細 | トップ層薄膜詳細 | ||||||
| 多層構造 | 電極&導波路パターン | 異なる材料（SiO2/Si, Si, サファイア, 石英 他） | PPLN | 特殊サイズ | 電極（Au, Pt, Cr, Al 他） | 方位（バルクウエハーと同様） | ドーピング（MgO, Fe, Er, Tm 他） | |
| 100～1000 nm LiNbO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| 100～1500 nm LiTaO3 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
| 5～50 μm LiNbO3 | √ | √ | √ | √ | ||||
| 5～50 μm LiTaO3 | √ | √ | √ | √ | ||||