複合ウェーハ

N型SiC複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Front (Si-face) roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)
Type 4H Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Resistivity 0.015–0.025 Ω·cm TTV ≤3 μm
Transfer layer Thickness ≥0.4 μm Warp ≤35 μm
Void ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) Thickness 350 μm ± 25 μm

半絶縁SiC複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Front (Si-face) roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)
Type 4H Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Resistivity 0.015–0.025 Ω·cm TTV ≤3 μm
Transfer layer Thickness ≥0.4 μm Warp ≤35 μm
Void ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) Thickness 500 ± 25 μm

N型SiC on Si複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Si Orientation <111>/<100>/<110>
SiC Type 4H Si Type P/N
SiC Resistivity 0.015–0.025 Ω·cm Flat length 47.5 ± 1.5 mm
Transfer SiC layer Thickness ≥0.1 μm Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Void ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0.5 mm) TTV ≤5 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) Thickness 500/625/675 ± 25 μm

半絶縁SiC on Si複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Si Orientation <111>/<100>/<110>
SiC Polytype 4H Si Type P/N
SiC Resistivity ≥1E8 Ω·cm Flat/Notch Flat/Notch
Transfer SiC layer Thickness ≥0.1 μm Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Void ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) TTV ≤5 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) Thickness 500/625/675 ± 25 μm

Si on SiC複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm SiC Type 4H
Si Orientation <111>/<100>/<110> SiC Resistivity 0.015–0.025/≥1E8 Ω·cm
Si Type P/N Flat/Notch Flat/Notch
Transfer Si layer Thickness ≥0.1 μm Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Void ≤5 ea / wafer (2 mm > D > 0.5 mm) TTV ≤5 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) Thickness 350/500 ± 25 μm

Si on AlN複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm AlN Resistivity ≥1E8 Ω·cm
Si Orientation <111>/<100>/<110> AlN Thermal conductivity ≥180 W/m·K
Si Type P/N Flat length 47.5 ± 1.5 mm
Transfer Si layer Thickness ≥0.1 μm TTV ≤5 μm
Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None Thickness 625 ± 25 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)

SOIウェーハ

サイズ inch 4 5 6 8 12
活性層 Unit 仕様
製法 - CZ/FZ
タイプ・導電型 - P/N/ノンドープ
結晶方位 - <100>/<111>/<110>
ドーパント - B、P、As、Sb
厚み μm ≧1.0
*抵抗率 Ω･cm 0.001–10000
*埋込み酸化膜 μm 0.05–10
支持基板 仕様
製法 - CZ/FZ
タイプ・導電型 - P/N/ノンドープ
結晶方位 - <100>/<111>/<110>
ドーパント - B、P、As、Sb
*厚み μm JEITA・SEMI標準/200-1500
*抵抗率 Ω･cm 0.001–10000
備考 *詳細仕様は別途お問合せ下さい