ウェーハ在庫リスト

更新日　2025年9月1日
SiCウェーハ在庫
サイズ タイプ グレード 厚さ オフ角度 表面加工仕上げ
5 mm Semi-insulating ダミー 500 ± 25 um <0001> ± 0.2° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
6インチ 4H-N ダミー 350 ± 25 um 4˚ toward <11-20> ±0.5˚ Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
Siウェーハ在庫
サイズ 製法 導電型 ドーパント 直径（mm） 厚さ（µm） 仕上げ 抵抗値（Ω・cm） 結晶方位 在庫
4 インチ CZ N Phos 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <100> ± 1° 175
4 インチ CZ N Phos 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <110> ± 1° 100
4 インチ CZ P Boron 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <100> ± 1° 150
4 インチ CZ P Boron 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <110> ± 1° 100
サイズ 製法 直径（mm） 厚さ（µm） 仕上げ 抵抗値（Ω・cm） GBIR（µm） Warp（µm） 結晶方位 在庫
12 インチ MCZ 300 ± 0.2 775 ± 25 両面ミラー 1 ~ 100 ≤5 ≤80 <100> ± 1° 950
InPウェーハ在庫
サイズ 製法 導電型 ドーパント 直径
（mm）		 厚さ
（µm）		 仕上げ EPD
（/cm2）		 結晶方位 TTV
（µm）		 TIR
（µm）		 Bow
（µm）		 Warp
（µm）		 在庫
2 インチ VGF N InP-S 50.0 ± 0.3 355 ± 15 片面ミラー 37 - 166 (100)2°± 0.5° off
toward<110> α =225°		 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 10

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