ウェーハ在庫リスト

更新日　2026年4月17日
SiCウェーハ在庫
サイズ タイプ グレード 厚さ オフ角度 表面加工仕上げ
5 mm 4H-P ダミー 350 ± 25 μm 0°～4° ± 0.5° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
10 mm 4H-P ダミー 350 ± 25 μm 0°～4° ± 0.5° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
5 mm 6H-P ダミー 350 ± 25 μm 0°～4° ± 0.5° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
10 mm 6H-P ダミー 350 ± 25 μm 0°～4° ± 0.5° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
5 mm 3C-N ダミー 350 ± 25 μm <0001> ± 0.5° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
10 mm 3C-N ダミー 350 ± 25 μm <0001> ± 0.5° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
5 mm 4H-半絶縁型 ダミー 500 ± 25 μm <0001> ± 0.2° Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
6インチ 4H-N ダミー 350 ± 25 μm 4˚ toward <11-20> ±0.5˚ Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
Siウェーハ在庫
サイズ 製法 タイプ ドーパント 直径（mm） 厚さ（µm） 仕上げ 抵抗値（Ω・cm） 結晶方位
4 インチ CZ N Phos 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <100> ± 1°
4 インチ CZ N Phos 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <110> ± 1°
4 インチ CZ P Boron 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <100> ± 1°
4 インチ CZ P Boron 100 ± 0.5 525 ± 15 片面ミラー 1 ~ 5 <110> ± 1°
InPウェーハ在庫
サイズ 製法 タイプ ドーパント 直径
（mm）		 厚さ
（µm）		 仕上げ EPD
（/cm2）		 結晶方位 TTV
（µm）		 TIR
（µm）		 Bow
（µm）		 Warp
（µm）
2 インチ VGF N InP-S 50.0 ± 0.3 355 ± 15 片面ミラー 37 - 166 (100)2°± 0.5° off
toward<110> α =225°		 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10
2 インチ VGF - InP-Undoped 50.8 ± 0.2 350 ± 25 - - - - - - -
4インチ AlGaInP赤色LEDエピウェーハ（610～660nm）在庫
サイズ 基板 波長（nm） 半値幅（FWHM）（nm） エピ厚（nm） 構造
4インチ GaAs 610 – 660 <25 5750 ± 500 N-side up
4インチ GaN系緑色LEDエピウェーハ（500～540nm）在庫
サイズ 基板 波長（nm） 半値幅（FWHM）（nm） エピ厚（nm） 構造
4インチ PSS（パターン付きサファイア） 500 – 540 <35 8200 ± 500 標準GaN LED構造

在庫がない仕様につきましてもご対応可能で、品質に優れ、納期が早く、価格も安価でございます。
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