シリコンウェーハ
2インチから12インチまでの半導体用基板として使用されるシリコンウェーハを、お客様の用途やご要望に応じてご提供いたします。
大手メーカー製の豊富な製品を取り揃え、さまざまなメーカー様や大学、研究機関様の用途や計画に最適なウェーハをご提案いたします。
お客様のご要望に応じた、確かな品質のウェーハを安定して供給いたします。
| 項目 | 単位 | 仕様 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| サイズ | inch | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 | 12 |
| 厚さ | μm | 280 ± 25 | 380 ± 25 | 525 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 725 ± 25 | 775 ± 25 |
| 結晶成長法 | - | CZ/FZ | ||||||
| 結晶方位 | - | <100>/<111>/不問 | ||||||
| タイプ | - | P/N/不問 | ||||||
| 抵抗率 | Ω·cm | 0.01～1,000 | ||||||
| 表面仕上 | - | 両面/片面ミラー | ||||||
| 裏面仕上 | - | 両面/片面ミラー | ||||||
| 梱包形態 | - | コインロール/カセットケース | ||||||
STウェーハ（パワー半導体用基板）
製品情報
STウェーハとは、シリコンにBとGeを同時添加することで結晶中の転位の伝播を抑制し、機械的強度を向上させたシリコン単結晶ウェーハです。
熱衝撃にも強く、高温の処理やエピタキシャル成長時におけるスリップ、反りの抑制効果が高いといった特性を有しています。 近年注目されている窒化ガリウム（GaN）などのヘテロエピタキシャル成長に最も適した基板としてご使用いただけます。
製品仕様
- 口径：4、5、6 inch
- ドーパント：B-Ge (P type)
- 結晶軸：<111>
- 抵抗率：≤0.02 Ωcm
主な用途
- GaN-on-Si（パワー半導体用基板）
超高平坦度ウェーハ
製品情報
通常の半導体向け単結晶基板を小口径基板においても高平坦度化を実現いたしました。 通常加工において、平坦度（TTV）が≤3umが限界の加工精度であったところをTTV ≤ 1 μm化を実現、ご要求仕様によっては更なる高平坦度化にお応えします。
ベース基板の高平坦度が要求される、接合基板やフォトリソ加工における優位性はもちろん、基板上に形成する様々なデポジション膜への均一性にも寄与する基板となり、今後精密性を求められるデバイスに用途は広がります。
標準製品仕様
- 口径：4, 6 inch
- TTV：≤1um（実力：≤0.5 μm）
- 導電型：P型（B），N型（Phos,Sb），FZ
- 結晶軸：<100>，<110>，<111>
- 抵抗率：≤0.005～40 Ωcm
- 面状態：SSP、DSP
主な用途
- 接合用基板（SOI・LT・TC-SAW etc）
- フォトリソ加工用基板
- その他TTVが影響するプロセス用途
効果的な事例
- 接合用支持基板の薄化、平坦度化する時間・コストを削減したい
- 外周部の歩留まり改善
加工仕様
| 項目 | 4 inch | 6 inch |
|---|---|---|
| 直径（mm） | 100 ± 0.2 | 150 ± 0.2 |
| 基板厚（μm） | 220～1300 ± 2 | 280～1300 ± 2 |
| ドーパント（抵抗値） | B (0.005～40Ω), Phos (0.1～40Ω), Sb (0.01～0.1Ω), nondopantFz (≧1000Ω) | |
| TTV（μm） | ≦1（実力：≦0.5μm） | ≦1（実力：≦0.5μm） |
| LTV（μm） | ≦0.3 □ × 10 mm | ≦0.3 □ × 10 mm |
| 表面パーティクル | ≦10個（≧0.3μm） | ≦10個（≧0.3μm） |
| 面状態 | SSP Or DSP | SSP Or DSP |
※ 更に上記以外では、以下のようなオプション加工も承ります。
- SOIテラスフリー化実現のための口径微大化（101，151mm）
- 追加BOX酸化膜加工
- ノッチ化
- ノンドープ ≥1000Ω品（FZ）
遠赤外線用材料-HTシリコン
HTシリコンは、遠赤外線領域（特に9μm付近）の透過率を改善したシリコン材料です。
製品概要
- 結晶成長法：CZ法
- 口径：4、5、6、(8) inch
- 抵抗：≥180 Ωcm
- 酸素濃度：≤8.0×1015 atoms/cm3
- 多結晶
製品形状
ご要望に合わせて鏡面加工したポリッシュドウェーハ(PW)品、ラップドウェーハ(LW)品、アズスライス品、インゴットでのご提供が可能です。
特殊加工品
ご要望に応じてレンズ、窓材への形状(加工)や反射防止(AR)膜、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)コーティング処理に関しましてもご対応させて頂きます。
シリコンインゴット
製品説明
- CZ法（チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法を用いて、シリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。
- このインゴットは、主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使用される、非常に重要な消耗材料です。
- 弊社では、お客様のご要望に応じて、さまざまなサイズや抵抗率のシリコンインゴット製品を提供することが可能です。
| 直径（mm） | タイプ | 結晶方位 | 純度 | 抵抗値（Ω·cm） | 長さ |
|---|---|---|---|---|---|
| φ200～φ550 | P | <100>/<111> | 10～11 N | ≤0.01 | オーダーメイド |
| 1～4 | |||||
| 60～90 | |||||
| オーダーメイド |
ダミーウェーハ
強み
- 豊富な取り扱い製品
- 多種多様なシリコンウェーハを豊富に取り揃えています。
- 小ロット対応可能
- お客様のご要望に対し、丁寧かつきめ細やかに対応いたします。
- 短納期
- 豊富な在庫を活用し、短納期でのご提供を実現しています。
- 柔軟な対応
- 在庫にない規格についても、インゴットから加工対応いたします。
弊社では、お客様との丁寧なヒアリングを通じて、ニーズに合った最適なウェーハをご提案いたします。また、カセットケース入りやコインロールケース入りなど、ご希望に応じた形態で発送可能です。
さらに、タイプや厚さを問わず、コストを抑えたウェーハの販売にも対応しております。
特徴
実験やテストで使用されることが多いため、ダミーウェーハはサイズや厚さが多岐にわたります。また、再生ウェーハを使用する場合もあります。
パーティクル管理が行われたシリコンウェーハ製品に比べ、ダミーウェーハは安価であり、小ロットでの出荷にも対応可能です。これがダミーウェーハの大きな特徴です。
製造装置ではプロセスの安定性を高めるため、最初の数枚にダミーウェーハを投入することがあります。また、製造プロセスの最適化やモニタリングにも使用されます。
ダミーウェーハはデバイス製造には適していませんが、モニタリングやテスト用途としては十分な性能を発揮し、新品ウェーハの代替品として広く利用されています。
ダミーウェーハは、ウェーハ製造の各工程におけるテストや調整で重要な役割を果たす、欠かせない存在です
| 項目 | 仕様 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| サイズ | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 | 12 |
| 結晶成長法 | CZ/FZ | ||||||
| タイプ | P型/N型/不問 | ||||||
| 結晶方位 | ＜100＞/＜111＞/＜110＞/不問 | ||||||
| ノッチ/オリフラ方位 | ＜100＞/＜111＞/＜211＞/不問 | ||||||
| 厚さ（μm） | 280 | 380 | 525 | 625 | 625/675 | 725 | 775 |
| 厚さ公差（μm） | 20 | 20 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 |
| 比抵抗（Ω·cm） | 0.005～/不問 | ||||||
| オリフラ | オリフラ | オリフラ | オリフラ | オリフラ | ノッチ/オリフラ | ノッチ/オリフラ | ノッチ |
| 面仕上げ | 片面ミラー（MP/ET）/両面エッチド（ET/ET） | 両面ミラー（MP/MP） | |||||
| パーティクル | 不問 | ||||||
| 数量 | 25枚からご注文承ります。 | ||||||
| 梱包形態 | コインロール/カセットケース | ||||||
| 備考 | 6インチのオリフラ規格は、JEITA，SEMIどちらも対応可能です。 | ||||||
再生ウェーハ
最先端の設備と高水準な化学処理・研磨・洗浄技術を駆使し、8インチから12インチまでの高品質な再生ウェーハをご提供しております。
再生ウェーハとは、半導体製造工程において装置の調整やテスト目的で使用されるダミー／テストウェーハから汚れを除去し、再研磨・再洗浄を行うことで、繰り返し使用可能としたウェーハのことです。