GaAsウェーハ
GaAs（ガリウム砒素）は、ガリウムと砒素を主成分とする化合物半導体で、高速動作、高温安定性、優れた光学特性を持つ材料です。高周波デバイス、LEDやレーザーダイオード、宇宙用太陽電池、5G通信など幅広い用途に活用されています。シリコンよりも高性能ですが、製造コストが高く、砒素の毒性に注意が必要です。
- 応用と分野
- GaAs(ガリウム砒素）は、優れた性能を持つ半導体材料であり、直接バンドギャップ、高い電子移動率、高周波低ノイズ、高変換効率などの特徴があります。
- GaAsウェーハを使用して製造されたRFデバイスは、無線通信分野で広く使用されており、無線LAN（WLAN）、携帯電話通信、4G /5G基地局、衛星通信、Wi-Fi通信などが含まれます。
- ミニLEDやマイクロLEDの開発に伴い、GaAsウェーハで製造された赤色LEDは、ディスプレイ画面分野やAR / VR分野でもますます多くの用途が見込まれます。
| プロジェクト | 単位 | LD適用製品仕様 | LED適用製品仕様 | マイクロエレクトロニクス製品仕様 |
|---|---|---|---|---|
| 導電タイプ | N型 | P型/N型 | ||
| 結晶成長法 | VGF | VGF | VGF | |
| ドーパント | Si | Zn/Si | 無ドープ | |
| 直径 | inch | 2～6 | 2～6 | 2～6 |
| 面方位 | (100) ± 0.1° | (100) ± 0.5° | (100) ± 0.5° | |
| オリフラ方位 | US or EJ | US or EJ | US, EJ or notch | |
| キャリア濃度 | cm-3 | (0.4～2.5) × 1018 | (0.5～5) × 1019 (0.4-4) × 1018 |
|
| 抵抗率 | Ω·cm | (1.2～9.9) × 10-3 | (1.2～9.9) × 10-3 | >107 |
| 電子移動率（Mob） | cm2/v.s | >1500 | 50～120/>1000 | >4000 |
| 転位密度（EPD） | cm2 | <500 | <5000 | <5000 |
| 厚さ | μm | (350～650) ± 25 | (350～650) ± 25 | (350～650) ± 25 |
| TTV（P/P） | μm | ≤5 | ≤5 | ≤4 |
| TTV（P/E） | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| Warp | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| 面仕上げ | 表面 裏面 |
ミラー ミラー/エッチング |
ミラー ミラー/エッチング |
ミラー ミラー/エッチング |
| 梱包方法 | コインロール/カセットケース | コインロール/カセットケース | コインロール/カセットケース |