GaAsウェーハ
ガリウム砒素（ガリウム砒素、英: gallium arsenide）はガリウムの砒素であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
- 応用と分野
- GaAs(ガリウム砒素）は、優れた性能を持つ半導体材料であり、直接バンドギャップ、高い電子移動率、高周波低ノイズ、高変換効率などの特徴があります。
- GaAsウェーハを使用して製造されたRFデバイスは、無線通信分野で広く使用されており、無線LAN（WLAN）、携帯電話通信、4G /5G基地局、衛星通信、Wi-Fi通信などが含まれます。
- ミニLEDやマイクロLEDの開発に伴い、GaAsウェーハで製造された赤色LEDは、ディスプレイ画面分野やAR / VR分野でもますます多くの用途が見込まれます。
| プロジェクト | 単位 | LD適用製品仕様 | LED適用製品仕様 | マイクロエレクトロニクス製品仕様 |
|---|---|---|---|---|
| 導電タイプ | N型 | P型/N型 | ||
| 結晶成長法 | VGF | VGF | VGF | |
| ドーパント | Si | Zn/Si | 無ドープ | |
| 直径 | inch | 2～6 | 2～6 | 2～6 |
| 面方位 | (100) ± 0.1° | (100) ± 0.5° | (100) ± 0.5° | |
| オリフラ方位 | US or EJ | US or EJ | US, EJ or notch | |
| キャリア濃度 | cm-3 | (0.4～2.5) × 1018 | (0.5～5) × 1019 (0.4-4) × 1018 |
|
| 抵抗率 | Ω·cm | (1.2～9.9) × 10-3 | (1.2～9.9) × 10-3 | >107 |
| 電子移動率（Mob） | cm2/v.s | >1500 | 50～120/>1000 | >4000 |
| 転位密度（EPD） | cm2 | <500 | <5000 | <5000 |
| 厚さ | μm | (350～650) ± 25 | (350～650) ± 25 | (350～650) ± 25 |
| TTV（P/P） | μm | ≤5 | ≤5 | ≤4 |
| TTV（P/E） | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| Warp | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| 面仕上げ | 表面 裏面 |
ミラー ミラー/エッチング |
ミラー ミラー/エッチング |
ミラー ミラー/エッチング |
| 梱包方法 | コインロール/カセットケース | コインロール/カセットケース | コインロール/カセットケース |