半導体光増幅器（SOA）

1060nm波長用半導体光増幅器（SOA）チップシリーズは、高利得・高出力・低偏波依存性を特徴とし、広帯域SOAモジュール向けに設計されています。顧客の迅速なカスタマイズ要求への対応も可能です。加えて、短納期、迅速な供給、優れたコストパフォーマンス、高い信頼性を兼ね備えています。

製品の特徴
  • 高利得・低消費電力。
  • 迅速な納品対応。
  • カスタマイズサービス：偏波保持対応、アイソレーター統合、PD光パワーモニタ統合など、より高集積デバイスへのカスタマイズにも対応可能。
製品の用途
  • OCT医療応用
  • スイープ光源、可変レーザー
製品仕様（チップ温度@25℃）
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=400mA --- 1070 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=400mA --- 1060 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=-20dBm --- 50 --- nm
最大光出力 Pmax If=400mA, Pin=5dBm@1060nm --- 15 --- dBm
小信号利得 SSG If=400mA, Pin=-25dBm@1060nm --- 25 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=400mA --- 10 --- dB
雑音指数 NF 25℃, If=400mA@1060nm --- 8 10 dB
動作電流 If --- --- 400 600 mA
順方向電圧 Vf --- --- --- 2 V
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=Iop -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 4 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させることができます。本製品は、高利得・低消費電力・低偏波依存性などの特長を備えています。また、本シリーズは密封型の標準バタフライパッケージを採用しており、カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の特徴
  • 低ノイズ・高感度で、PON上の業務増幅ニーズに対応。
  • 低消費電力・高線形性で、データセンター間接続などの高速業務増幅ニーズに対応。
  • 迅速な納品対応。
  • カスタマイズサービス：偏波保持対応、アイソレーター統合、PD光パワーモニタ統合など、より高集積デバイスへのカスタマイズにも対応可能。
製品の用途
  • 40G/100G LWDM光信号増幅
  • 光学テスト
製品仕様（チップ温度@25℃）
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=120mA --- 1260 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=120mA --- 1270 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=-20dBm 60 --- --- nm
最大光出力 Pmax If=120mA, Pin=5dBm@1270nm 10 --- 13 dBm
小信号利得 SSG If=120mA, Pin=-20dBm@1270nm --- 18 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=120mA --- 0.5 1.0 dB
雑音指数 NF 25℃, If=120mA@1270nm --- 6 8 dB
動作電流 If --- --- 120 250 mA
順方向電圧 Vf --- --- 1.2 1.4 V
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=Iop -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 4 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させることができます。製品は高い増幅率、低消費電力、低偏波依存性などの特長を持ち、独自のチップを採用しています。また、本シリーズは密封型の標準バタフライパッケージを採用しており、カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の特徴
  • 低消費電力で、典型駆動電流は120mA。高速ROSAの低消費電力要件に対応。
  • 温度監視およびTEC（熱電冷却）による温度制御をサポートし、全温度動作範囲で安定した運転を実現。
  • カスタマイズサービス：偏光保持、アイソレーター統合、PD（フォトダイオード）による光パワー監視など、より高集積デバイスへのカスタム設計に対応。
製品の用途
  • データセンター間接続、40G/100G光信号増幅
  • 集約・分流、40G/100G光信号増幅
  • 100G 4波（LWDM）光信号増幅への応用
製品仕様（チップ温度@25℃）
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=120mA --- 1310 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=120mA --- 1310 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=-20dBm --- 65 --- nm
最大光出力 Pmax If=120mA, Pin=5dBm@1310nm --- 13 --- dBm
小信号利得 SSG If=120mA, Pin=-20dBm@1310nm --- 16 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=120mA --- 0.5 1.0 dB
雑音指数 NF 25℃, If=120mA@1310nm --- 7 9 dB
動作電流 If --- --- 120 250 mA
順方向電圧 Vf --- --- 1.2 1.4 V
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=If -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 4 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させることができます。製品は高い増幅率、低消費電力、低偏波依存性などの特長を持ち、独自のチップを採用しています。また、本シリーズは密封型の標準バタフライパッケージを採用しており、カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の特徴
  • 低消費電力で、典型駆動電流は120mA。高速ROSAの低消費電力要件に対応。
  • 温度監視およびTEC（熱電冷却）による温度制御をサポートし、全温度動作範囲で安定運転を実現。
  • カスタマイズサービス：偏光保持、アイソレーター統合、PD（フォトダイオード）による光パワー監視など、より高集積デバイスへのカスタム設計に対応。
製品の用途
  • データセンター間接続、40G/100G光信号増幅
  • 集約・分流、40G/100G光信号増幅
  • 100G 4波（LWDM）光信号増幅への応用
製品仕様（チップ温度@25℃）
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=250mA --- 1270 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=250mA --- 1310 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=-20dBm --- 65 --- nm
最大光出力 Pmax If=250mA, Pin=5dBm@1310nm --- 15 --- dBm
小信号利得 SSG If=250mA, Pin=-25dBm@1310nm --- 25 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=250mA --- 0.5 1.0 dB
雑音指数 NF 25℃, If=250mA@1310nm --- 7 9 dB
動作電流 If --- --- 250 400 mA
順方向電圧 Vf --- --- 1.2 1.5 V
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=If -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 4 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させることができます。本製品は、高い増幅率、低消費電力、低偏光依存性などの特徴を備えています。また、本シリーズは密閉型の標準バタフライパッケージを採用しており、カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の特徴
  • 高い増幅率、低消費電力、低偏光依存損失、高い消光比などの特長を備えています。
  • 温度監視およびTEC（熱電制御）に対応し、全温度動作範囲で安定運転を保証。
  • カスタマイズサービス：偏光保持、ファラデーアイソレーター、高集積PD光パワー監視の統合など、より高度な集積デバイスのカスタマイズに対応可能。
製品の用途
  • 分布型光ファイバーセンサーシステムにおいて、音響光学変調器の代替として使用され、変調器/チョッパーとして機能します。
  • 広帯域光源において、例えば光ファイバーグレーティングのデモジュレーターの広帯域光源として使用されます。
  • 光通信システムでは、1550nm波長の光信号増幅を実現し、一部のEDFA（エルビウムドープファイバーアンプ）の代替として使用されます。
  • 風測定レーダー、空間光探査および空間光通信において、狭線幅レーザーと組み合わせてMOPAレーザー（マスターオシレーター＋パワーアンプ）として使用されます。
製品仕様
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=250mA --- 1515 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=250mA --- 1550 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=0dBm 100 --- --- nm
最大光出力 Pmax If=250mA, Pin=5dBm@1550nm --- 13 --- dBm
小信号利得 SSG If=250mA, Pin=-25dBm@1550nm 25 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=250mA --- 1.0 2.0 dB
雑音指数 NF 25℃, If=250mA@1550nm --- 7 9 dB
動作電流 If --- --- 250 400 mA
順方向電圧 Vf --- --- 1.3 1.5 V
遮断消光比1 ER If=250mA/If=0mA, Pin=0dBm --- 50 --- dB
遮断消光比2 ER If=250mA/If=5mA, Pin=0dBm --- 70 --- dB
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=Iop -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 4 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させます。高利得・低消費電力・低偏光依存性などの特長を備え、独自のチップを採用しています。また、密封型の標準バタフライパッケージを採用しており、カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の特徴
  • 高利得、低消費電力、低偏光依存損失、高出力光パワー（20dBm）、高消光比などの特長を備えています。
  • ASE（自発放射）光パワーは最大40mWに達し、広帯域光源に適しています。
  • 温度監視およびTEC（熱電冷却）制御に対応し、全温度動作範囲で安定運用を保証。
製品の用途
  • 分布型光ファイバーセンサシステムにおいて、音響光学変調器の代替として、変調器／チョッパーとして使用されます。
  • 広帯域光源において、例えば光ファイバーグレーティングのデモジュレーター用広帯域光源として使用されます。
  • 光通信システムにおいて、1550nm波長の光信号増幅を実現し、一部EDFA（エルビウムドープ光ファイバー増幅器）を置き換える用途に使用されます。
  • 風測定レーダー、宇宙光探測および宇宙光通信において、狭線幅レーザーと組み合わせてMOPA（マスターオシレーター＋パワーアンプ）レーザーとして使用されます。
製品仕様
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=1000mA --- 1520 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=1000mA --- 1550 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=-10dBm, If=1000mA --- 90 --- nm
最大光出力 Pmax If=1000mA, Pin=5dBm@1550nm 21 --- --- dBm
小信号利得 SSG If=1000mA, Pin=-25dBm@1550nm 30 35 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=1000mA --- 12 --- dB
雑音指数 NF 25℃, If=1000mA@1550nm --- 6 8 dB
動作電流 If --- --- 1000 1300 mA
順方向電圧 Vf --- --- 1.5 2 V
遮断消光比 ER If=1000mA/If=0mA, Pin=0dBm --- 60 --- dB
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=Iop -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 5 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させます。高い増幅率、低消費電力、低偏光依存性などの特長を備え、独自のチップを採用しています。また、密封型の標準バタフライパッケージを採用しており、カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の特徴
  • 高い増幅率、低消費電力、低偏光依存損失、高出力光パワー（25dBm）、高消光比などの特長を備えています。
  • 温度監視およびTEC（熱電制御）に対応し、全温度動作範囲で安定した運転を確保。
  • カスタマイズサービス：偏光保持、統合型アイソレーター、統合型PD光パワーモニタリングなど、より高度に集積されたデバイスのカスタム設計に対応可能。
製品の用途
  • 分布型光ファイバーセンサシステムにおいて、音響光学変調器の代替品として使用され、変調器/チョッパーとして利用されます。
  • 光ファイバーグレーティングのデモジュレーター用広帯域光源など、広帯域光源に応用されます。
  • 光通信システムにおいて、1550nm波長の光信号の増幅を実現し、一部EDFA（エルビウム添加光ファイバー増幅器）の代替として使用されます。
  • 風速測定レーダー、宇宙空間光探査、および宇宙空間光通信に応用され、狭線幅レーザーと組み合わせてMOPAレーザーとして利用されます。
製品仕様（チップ温度@25℃）
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
ASE中心波長 λASE 25℃, If=1000mA --- 1490 --- nm
動作波長 λ 25℃, If=1000mA --- 1550 --- nm
-3dB利得スペクトル幅 Δλ Pin=-10dBm, If=1000mA --- 100 --- nm
最大光出力 Pmax If=1000mA, Pin=5dBm@1550nm --- 23 --- dBm
小信号利得 SSG If=1000mA, Pin=-25dBm@1550nm 30 35 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=1000mA --- 12 --- dB
雑音指数 NF 25℃, If=1000mA@1550nm --- 6 8 dB
動作電流 If --- --- 1000 1200 mA
順方向電圧 Vf --- --- 2.4 2.6 V
遮断消光比 ER If=1000mA/If=0mA, Pin=0dBm --- 35 --- dB
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=Iop -10 --- 50 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 6 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)

半導体光増幅器（SOA）シリーズ製品は、主に光信号の増幅に使用され、出力光パワーを大幅に向上させます。本製品は、高利得・低消費電力・低偏波依存性といった特徴を備えています。また、本シリーズは密封型の標準蝶型パッケージを採用しており、製品カスタマイズサービスにも対応可能です。

製品の用途
  • 広帯域光源として応用され、例えば光ファイバーグレーティングのデモジュレーター用光源として使用可能。
  • 光通信システムに応用され、C+L波長帯の光信号増幅を実現し、一部のEDFA用途を代替可能。
製品仕様（チップ温度@25℃）
注1：気密性の数値は、パッケージ封止の数値であり、パッケージ外部の残留干渉を除去したテスト結果です。
パラメータ 記号 動作条件 最小値 典型値 最大値 単位
動作波長 λ 25℃, If=300mA --- 1560 --- nm
-3dB帯域幅 Δλ 25℃, If=300mA --- 120 --- nm
最大光出力 Psat If=300mA, Pin=5dBm@1550nm --- 13 --- dBm
小信号利得 G If=300mA, Pin=-25dBm@1550nm --- 25 --- dB
偏波依存利得 PDG 25℃, If=300mA --- 6 --- dB
雑音指数 NF 25℃, If=300mA, Pin=10dBm --- 7 --- dB
動作電流 If --- --- 300 500 mA
順方向電圧 Vf --- --- 1.6 2 V
遮断消光比 ER1 If=300mA/If=0mA, Pin=0dBm --- 55 --- dB
遮断消光比 ER2 If=300mA/If=5mA, Pin=0dBm --- 70 --- dB
TEC電流 ITEC --- --- --- 1.8 A
TEC電圧 VTEC --- --- --- 3.4 V
サーミスタ抵抗値 Rtherm T=25℃ 9.5 10 10.5 KΩ
サーミスタ電流 Itherm --- --- --- 5 mA
気密性 1 T=25℃ 1×10-12 1×10-11 1×10-8 Pa.m3/s
動作温度 TC I=Iop -10 --- 70 ℃
保存温度 Tstg --- --- 85 ℃
総消費電力 P --- --- --- 4 W
構造寸法とピン定義
典型特性曲線
ASE spectra
ASE LIV characteristics
Gain vs. Output power
Gain spectra
Gain vs. Current (different temperature)
Gain vs. Current (different input power)