LaAlO3ランタンアルミン酸塩
LaAlO3単結晶基板は、高温超伝導薄膜および巨大磁気抵抗（CMR）薄膜のエピタキシャル成長用基板として広く使用されている。
特徴
- 低誘電損失
- 優れた格子整合性
- 低い熱膨張係数
- 高い化学的安定性
- 良好な熱安定性
用途
- 高温超伝導薄膜のエピタキシャル基板
- 巨大磁気抵抗（CMR）薄膜のエピタキシャル基板
- マイクロ波増幅および誘電共振器用途
物性仕様
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| 分子式 | LaAlO3 |
| 結晶成長法 | CZ |
| 結晶構造 | 六方晶系 |
| 格子定数 | a = 5.357 Å、c = 13.22 Å |
| モース硬度 | 6.5 |
| 密度 | 6.52 g/cm3 |
| 融点 | 2080 ℃ |
| 誘電率（ε） | ε=21 |
| 誘電正接（tanδ） | ～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K |
| 熱膨張係数 | 10×10-6/K |
基板仕様
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| サイズ | Φ76.2 mm |
| 厚さ | 0.5 mm またはカスタム対応可 |
| 面仕上げ | 片面研磨 / 両面研磨 |
| 結晶方位 | ＜100＞、＜110＞、＜111＞ ±0.2° |
| 表面粗さ | Ra ≤ 1 nm |
| ノッチ精度 | 2°（カスタム仕様にて1°以下対応可） |