高い電気伝導性と優れた熱安定性が求められる用途向けに開発された、N型炭化ケイ素（SiC）粉末です。
6H型ポリタイプを90%以上含有し、結晶構造の均一性に優れています。エピタキシャル成長用原料をはじめ、半導体製造プロセスなどの用途に適しています。

半絶縁性炭化ケイ素（SiC）粉末は、高周波デバイスやオプトエレクトロニクス分野において重要な材料です。優れた電気絶縁性、熱安定性および機械的強度を備えています。
AR・VRグラスをはじめとする先端フォトニクスデバイスの急速な発展に伴い、高純度の半絶縁性SiC材料への需要が高まっています。
窒素含有量を1 ppm未満に抑え、最適な粒度分布を実現することで、良質な半絶縁性SiC単結晶の育成に適した粉末を提供します。