最先端の技術と確かなサービスで、
夢のある社会の発展に貢献します

豊港化学は高品質な半絶縁および半導体ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、およびインジウムリン酸化物基板などの関連製品を提供します。
電気特性はお客様の要望に応じて調整可能です。

結晶成長工程ではドーピングおよび濃度を調整することにより、結晶の導電タイプ(N型またはP型)および電気特性パラメータを制御します。
ドーピングでは炭素(C)、ケイ素(Si)、鉄(Fe)、硫黄(S)、および亜鉛(Zn)が使用されます。

最新の高精密ワイヤーカット機器および高精密平面研磨機器を使用して、ウェーハ基板を高精度な平面に仕上げます。
厳格な品質管理の下で、CMP研磨工程、洗浄工程、パッケージング工程を経て、高品質なエピレディウェーハを提供します。

GaAsウェーハ基板

2~6インチ ヒ化ガリウムGaAs基板を提供します。
半絶縁ヒ化ガリウムGaAs(無添加)、半導体Si添加ヒ化ガリウム、およびZn添加ヒ化ガリウムなどがございます。

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InPウェーハ基板

高品質な2~4インチ リン化インジウムInPウェーハを提供します。
主にマイクロエレクトロニクス分野や情報通信分野に用いられる無ドープ、鉄ドープ、硫黄ドープ、亜鉛ドープなどが含まれる製品を提供します。

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ゲルマニウムウェーハ基板

4, 6インチ ゲルマニウム基板を提供します。
電気抵抗率は0.05Ω・cm~、50Ω・cm以上の高抵抗率の製品もございます。

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