SiCウェーハ

単結晶SiCウェーハの製品を提供しております。

  • 2-4インチ4H/6H-P SiCウェーハ
  • 2-4インチ3C SiCウェーハ
  • 4-8インチ4H-N SiCウェーハ
  • 4-8インチ4H-半絶縁性 SiCウェーハ
  • 4-8インチSiCインゴット

SiCウェーハはパワーデバイス用として今後の使用増加が期待されています。
2、4、6と8インチに加え5mm角から10mm角基板も扱っております。

SiCウェーハ

インチ タイプ オフ角度 グレード マイクロパイプ数 厚さ 表面加工仕上げ
4インチ 4H-N 4°±0.5° プライム ≤0.2cm-2 350±25μm Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー)
プロダクション
ダミー ≤10cm-2
4H-半絶縁性 0°±0.2° プライム ≤1cm-2 500±25um Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー)
プロダクション ≤5cm-2
ダミー ≤10cm-2
6インチ 4H-N 4°±0.5° プライム ≤0.2cm-2 350±25μm Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー)
プロダクション
ダミー ≤1cm-2
4H-半絶縁性 0°±0.2° プライム ≤1cm-2 500±25um Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー)
プロダクション ≤5cm-2
ダミー ≤10cm-2
8インチ 4H-N 4°±0.5° プライム ≤1cm-2 500±25um Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ(ミラー)
プロダクション ≤5cm-2
ダミー ≤5cm-2
インチ タイプ オフ角度 グレード マイクロパイプ数 厚さ 表面加工仕上げ
2インチ 4H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
2.0°-4.0°±0.5° ダミー ＜0.1cm-2 350±25μm
6H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
2.0°-4.0°±0.5° ダミー ＜0.1cm-2 350±25μm
3C-N <0001>±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
<0001>±0.5° ダミー ＜0.1cm-2 350±25μm
4インチ 4H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
2.0°-4.0°±0.5° ダミー ＜0.1cm-2 350±25μm
6H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
2.0°-4.0°±0.5° ダミー ＜0.1cm-2 350±25μm
3C-N <0001>±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
<0001>±0.5° ダミー ＜0.1cm-2 350±25μm
5mm×5mm 4H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
6H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
3C-N <0001>±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
10mm×10mm 4H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
6H-P 2.0°-4.0°±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm
3C-N <0001>±0.5° プロダクション ＜0.1cm-2 350±25μm

SiCインゴット

SiCインゴット

タイプ オフ角度 グレード マイクロパイプ数 厚さ 表面加工仕上げ
SiCインゴット 4インチ 4H-N 4°±0.5° ダミー ≤50cm-2 ・10～14.9mm
（厚さAタイプ）
・15～19.9mm
（厚さBタイプ）
・20～25mm
（厚さCタイプ） 		外周円形加工有り
1次･2次オリフラ有り
6インチ 4H-N
8インチ 4H-N