シリコンウェーハ
一般には薄い板状のものの総称。半導体関係では、半導体素子の基板となるSiなどの単結晶を薄い板状にしたものをSiウェーハなどという。Siウェーハは現在、200mm(8インチ)が主流であり、300mm(12インチ)ウェーハの使用も開始された。
2インチ-12インチまでの半導体用基板として使用されるシリコンウェーハをお客様のご利用用途やご要望に合わせてご提供いたします。
大手メーカー製品の充実の製品で、数多くのメーカー様や大学・研究所様のご利用目的やプランニングに最適なウェーハをご提供させて頂きます。
ご要望に合わせた確かな品質のウェーハの供給を実現いたします。
項目 | 単位 | 仕様 | ||||||
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サイズ | inch | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 | 12 |
厚み | μm | 280±25 | 380±25 | 525±25 | 625±25 | 625±25 | 725±25 | 775±25 |
製法 | - | CZ or FZ | ||||||
結晶方位 | - | <100> or <111>or不問 | ||||||
タイプ | - | P/N/不問 | ||||||
抵抗値 | Ω・cm | 0.01~1,000Ω・cm | ||||||
表面仕上 | - | 両面/片面ミラー | ||||||
裏面仕上 | - | 両面/片面ミラー | ||||||
梱包形態 | - | ラミネート/コインロール |
シリコンインゴット
- 製品説明
- CZ法(チョクラルスキー法)と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。
- 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。
直径mm | タイプ | 結晶方位 | 純度 | 电阻率(Ω.cm) | 長さ |
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φ200-φ550 | P | <100>/<111> | 10~11N | ≤0.01 | オーダーメイド |
1-4 | |||||
60-90 | |||||
オーダーメイド |