シリコンウェーハ

一般には薄い板状のものの総称。半導体関係では、半導体素子の基板となるSiなどの単結晶を薄い板状にしたものをSiウェーハなどという。Siウェーハは現在、200mm(8インチ)が主流であり、300mm(12インチ)ウェーハの使用も開始された。

2インチ-12インチまでの半導体用基板として使用されるシリコンウェーハをお客様のご利用用途やご要望に合わせてご提供いたします。

大手メーカー製品の充実の製品で、数多くのメーカー様や大学・研究所様のご利用目的やプランニングに最適なウェーハをご提供させて頂きます。

ご要望に合わせた確かな品質のウェーハの供給を実現いたします。

項目 単位 仕様
サイズ inch 2 3 4 5 6 8 12
厚み μm 280±25 380±25 525±25 625±25 625±25 725±25 775±25
製法 - CZ or FZ
結晶方位 - <100> or <111>or不問
タイプ - P/N/不問
抵抗値 Ω・cm 0.01~1,000Ω・cm
表面仕上 - 両面/片面ミラー
裏面仕上 - 両面/片面ミラー
梱包形態 - ラミネート/コインロール

シリコンインゴット

製品説明
CZ法(チョクラルスキー法)と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。
主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。
直径mm タイプ 結晶方位 純度 电阻率(Ω.cm) 長さ
φ200-φ550 P <100>/<111> 10~11N ≤0.01 オーダーメイド
1-4
60-90
オーダーメイド