ガリウムアルセニド（GaAs）基板
砒素化ガリウム（化学式：GaAs）は、ガリウムと砒素の2つの元素から合成される化合物です。これは、III族およびV族の複合半導体材料として重要です。
- ガリウムアルセニド（GaAs）基板
- 豊港化学は、VGF法で作製されたサイズが最大6インチの砷化ガリウム結晶片を提供できます。これには、半絶縁砷化ガリウム結晶片（無添加）および半導体砷化ガリウム結晶片（シリコン添加、亜鉛添加）が含まれます。
- 応用と分野
- 砷化ガリウム（GaAs）は、優れた性能を持つ半導体材料であり、直接バンドギャップ、高い電子移動率、高周波低ノイズ、高変換効率などの特徴があります。
- 砷化ガリウム基板を使用して製造されたRFデバイスは、無線通信分野で広く使用されており、無線LAN（WLAN）、携帯電話通信、4G / 5G基地局、衛星通信、Wi-Fi通信などが含まれます。
- ミニLEDやマイクロLEDの開発に伴い、砷化ガリウム基板で製造された赤色LEDは、ディスプレイ画面分野やAR / VR分野でもますます多くの用途が見込まれます。
砷化ガリウムをベースにした高効率の太陽電池パネルは、高い変換効率を持っています。現在、ドローンや太陽光発電自動車分野などで広く使用されています。
砷化ガリウムの用途は、光ファイバー通信、無線LAN（WLAN）、携帯電話、Bluetooth通信、衛星通信、5G用の単片マイクロ波集積回路（MMIC）およびRF集積回路（RFIC）などの業界で使用される各種トランジスタを含んでいます。
豊港化学の豊富な経験、先進的な生産技術、そして厳格な品質管理システムを活用して、基板の優れた品質を確保します。
| プロジェクト | 単位 | LD適用製品仕様 | LED適用製品仕様 | マイクロエレクトロニクス製品仕様 |
|---|---|---|---|---|
| 導電タイプ | N型 | P型/N型 | ||
| 結晶成長方法 | 垂直温度勾配固化法 | 垂直温度勾配固化法 | 垂直温度勾配固化法 | |
| ドーパント | シリコン | 亜鉛/シリコン | 無ドープ | |
| 直径 | inch | 2",3",4" and 6" | 2",3",4" and 6" | 2",3",4" and 6" |
| 主要基準面/副基準面 | US or EJ | US or EJ | US, EJ or notch | |
| キャリア濃度 | /cm3 | (0.4-2.5)×1018 | (0.5-5)×1019 (0.4-4)×1018 |
|
| 常温での抵抗率 | ohm.cm | (1.2-9.9)×10-3 | (1.2-9.9)×10-3 | >107 |
| 電子移動度 | cm2/v.s | >1500 | 50-120/>1000 | >4000 |
| エッチピット密度（EPD） | /cm2 | <500 | <5000 | <5000 |
| 厚さ* | μm | (350-650)±25 | (350-650)±25 | (350-650)±25 |
| TTV(P/P) | μm | ≤5 | ≤5 | ≤4 |
| TTV(P/E) | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| Warp | μm | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
| 表面 | 主面 背面 |
磨かれた 磨かれた/エッチング |
磨かれた 磨かれた/エッチング |
磨かれた 磨かれた/エッチング |
| エピレディ | Yes | Yes | Yes | |
| 梱包方法 | カセットまたはシングルウェーハコンテナ | カセットまたはシングルウェーハコンテナ | カセットまたはシングルウェーハコンテナ |