リン化インジウム（InP）ウェーハ

リン化インジウム（InP）ウェーハは、リンおよびインジウムを含む二元半導体です。それはGaAsとほとんどすべてのIII-V半導体のような亜鉛ブレンド結晶構造を持っています。

リン化インジウム（InP）ウェーハ
豊港化学は高品質なリン化インジウム（InP）ウェーハ（直径2インチ～4インチ）を供給しています。
主にマイクロエレクトロニクスや通信分野に応用される無ドープ、鉄ドープ、硫黄ドープ、亜鉛ドープなどが含まれる製品をご提供可能です。
応用と分野
InPは、高い電子移動度、良好な放射線安定性、および大きなバンドギャップを備えた重要なIII-V化合物および半導体材料です。リン化インジウム（InP）ウェーハは、次の2つの用途で特に利点があります。
  1. フォトニクス：1000nm以上の波長での発光および検出能力；
  2. 無線周波数：高周波RFアプリケーションでの高速かつ低ノイズ性能。InPは、通信、レーダー、試験装置、および放射線測定の性能重視のニッチ市場の第一選択です。
プロジェクト 単位 半絶縁仕様 半導体仕様
タイプ P型/N型
結晶成長法 VGF VGF
ドーパント 鉄 硫黄、スズ / 無添加 / 亜鉛
直径 inch 2",3",4" 2",3",4"
面方位 (100)±0.5° (100)±0.5°
OF/IF US,EJ US,EJ
抵抗率 (Res) ohm.cm ≥0.5×107
キャリア濃度 cm-3 N/A (0.8-8)×1018/(1-10)×1015/(0.8-8)×1018
電子移動率 (Mob) cm2/v.s ≥1000 1000-2500/3000-5000/50-100
エッチピット密度 (EPD) /cm2 1500-5000 100-5000/≥5000/≥500
レーザーマーク オプション オプション
厚さ μm (350-675)±25 (350-675)±25
TTV (P/P) μm ≤10 ≤10
TTV (P/E) μm ≤15 ≤15
Warp μm ≤15 ≤15
面仕上げ Sides 1 & 2 研磨/エッチング 研磨/エッチング
梱包方法 コインロール/カセットケース コインロール/カセットケース