SiCウェーハ
GaNウェーハ
シリコンウェーハ
装置用シリコン部品
半導体基板材料
装置部品加工事業
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ワイドギャップ半導体材料研磨
材質
SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)、サファイア ウェーハ等
仕様
2、3、4及び6インチウェーハ
SBIR ≦ 1μm
GBIR ≦ 2μm
Ra ≦ 0.1nm以下
品質
最先端検査装置による品質保証
Candela
NIDEK
AFM
TXRF
Edge Profiler
特色
高平坦性と重金属フリー洗浄
基板研磨
エピ成長ウェーハ裏面研磨
パターン付きウェーハ研磨 (面取+裏面研磨+重金属フリー洗浄)
使用済みウェーハ再生研磨
面取り及びレーザーマーキング
研磨(ラップ・ポリッシュ)装置