4インチ～12インチの高品質SOIウェーハをご提供いたしております。

SOIウェーハは、最上層（デバイス層）、中間の酸化物層（絶縁SiO2層）、最下部の基板（ハンドル シリコン）の合計3層の構造です。SIMOX法とウェーハボンディング技術を使用して製造されます。より薄く、より正確なデバイス層、均一な厚さ、および低い欠陥密度を実現できます。
SOIウェーハは、高速および低電力デバイス向けの優れたソリューションを提供し、高電圧およびRFデバイス向けの新しいソリューションとして広く認識されています。
弊社では4～12インチにおいて多仕様・高品質基板の加工と供給を実現しております。
活性層の厚みは1μm以上から対応可能で、各種デバイス開発や研究など多様なシーンにご利用頂いております。
埋込み酸化膜や抵抗値などご要望に合わせたご提案が可能です。