4H−SiCエピタキシャルは、あらゆる分野のパワーデバイスに応用されている。SBD、MOSFET、JEFT、BJT、IGBTなど。
家電、通信機器、モーター制御、太陽光発電、風力発電、ハイブリット自動車及び電気自動車、鉄道、船舶、航空宇宙などの分野に応用されている。
Size | 6 Inch | |
Conductivity | N-type | |
Dopant | Nitroger | |
Doping Calculation Method | No-NA | |
Concentration | Range | 9E14-1E19/cm³ |
Tolerance | ±12% | |
Uniformity | 0.06 | |
Thickness | Range | 0.2 ~ 50μm |
Tolerance | ±8% | |
Uniformity | 0.04 | |
Defect | Die yield | ≥ 95% |
Scratches | cumulative scratch length ≤ 150mm | |
Edge chips | ≤ 0.5mm | |
Backside cleanliness | 100% clean | |
Surface Roughness(20×20μm) | ≤ 0.5nm |