SiCエピタキシャル

4H−SiCエピタキシャルは、あらゆる分野のパワーデバイスに応用されている。SBD、MOSFET、JEFT、BJT、IGBTなど。

家電、通信機器、モーター制御、太陽光発電、風力発電、ハイブリット自動車及び電気自動車、鉄道、船舶、航空宇宙などの分野に応用されている。

N-type 4H-SiC Epiwafer

Size 6 Inch
Conductivity N-type
Dopant Nitroger
Doping Calculation Method No-NA
Concentration Range 9E14-1E19/cm³
Tolerance ±12%
Uniformity 0.06
Thickness Range 0.2 ~ 50μm
Tolerance ±8%
Uniformity 0.04
Defect Die yield ≥ 95%
Scratches cumulative scratch length ≤ 150mm
Edge chips ≤ 0.5mm
Backside cleanliness 100% clean
Surface Roughness(20×20μm) ≤ 0.5nm